长鑫连出利好！AMD平台DDR5频率上限突破、键合DRAM技术要弯道超车

2026-11-14 09:13:48 分类：百科阅读(44)

今天，长鑫超车多家科技媒体报道，连出利好微星已经率先在AMD平台上完成了对长鑫存储颗粒的平频率学术网络调校，突破了长鑫颗粒此前DDR5的台D突破频率上限，从6800MT/s‌提升到8000~8200MT/s，上限成为了首家在AMD平台突破这个上限的键合技术主板厂商。

为什么长鑫存储颗粒会有这个问题？弯道因为长鑫的存储颗粒相比于三星、SK海力士、长鑫超车美光这3个老铁来说太新了，连出利好AMD主板内的平频率固件没有对应的配置文件，导致频率超过6800就会死机。台D突破学术网络

微星通过最新的上限AGESA微代码进行专项调校优化，让双内存槽主板搭配采用长鑫16Gbit颗粒的键合技术内存，在8000MT/s的弯道频率可以稳定运行。而搭配24Gbit颗粒的长鑫超车内存，还可以进一步上冲到8200MT/s，这就打破了之前的性能限制，让玩家们可以更放心地用起国产内存。

目前首批适配机型的玩家版BIOS已开放下载，后续会由微星工程师直接负责玩家社区的发布与迭代。

另外，关于长鑫的好消息还有一则。《韩国经济日报》报道称，长鑫正在秘密建设一条键合DRAM的研发生产线，这是在没有EUV的情况下，仅靠DUV和多重曝光就能生产超高密度DRAM的方法。

传统DRAM的做法是把存储阵列和电路做在同一片晶圆上，而键合DRAM则是一片晶圆做超高密度的存储阵列，另一片做逻辑电路，最后再把两片晶圆键合（即贴合）在一起，这样能在不增加芯片面积的情况下，减少了连线距离、提升传输速度，并且降低了功耗。韩媒表示，长鑫在这个技术下的进度可能已经快过韩国了。

韩媒表示，在中国奋起直追下，现在中韩在存储领域的差距已经从5年缩小到3年，如果不是EUV被卡脖子，差距可能会更小。现在长鑫也在冲刺HBM技术及其下一代架构，要是被弯道超车，对韩国会有不小的冲击。

投机取巧网